uvled固化設備廠(chǎng)家三昆與您討論美國開(kāi)發(fā)的UVLED的波長(cháng)和最短

被稱(chēng)為殺手  UV-C  UV，波長(cháng)僅為  200  至  280  納米，具有高能量，可以穿透病毒，細菌，真菌和粉塵膜 螨蟲(chóng)攻擊  DNA  并破壞這些有害生物。 uvled固化設備廠(chǎng)家三昆科技將與您討論在美國開(kāi)發(fā)的UVLED的波長(cháng)和最短情況   被稱(chēng)為殺手  UV-C  UV，該波長(cháng)僅   200  至  280  納米，高能，可以穿透病毒，細菌，真菌和塵螨的膜，攻擊  DNA  并破壞這些有害生物。   自丹麥教授 Niels Finsen 發(fā)現UV可用于固化結核病以來(lái)，人類(lèi)使用UV進(jìn)行滅菌已有100多年的歷史了。 但是，目前使用的深UV燈不僅體積大且效率低下，而且還含有對環(huán)境有害的汞。

 美國康奈爾大學(xué)的研究小組最近開(kāi)發(fā)了一種小型且更環(huán)保的深紫外LED光源，這為當前的工業(yè)  deep-UV [ 記錄LED的最低波長(cháng) 。
 研究人員使用具有原子能級控制界面的氮化鎵（GaN）和氮化鋁（AlN）單層膜作為反應區域，成功發(fā)射了  232  至  270  納米深UV  LED  。 這種  232  納米的深UV記錄了使用氮化鎵作為發(fā)光材料發(fā)出的最短波長(cháng)的光的記錄。 之前的記錄是日本團隊創(chuàng )造的239nm。

 提高LED-UV的效率
 當前，LED-UV的最大瓶頸是發(fā)光效率，可以通過(guò)三個(gè)方面來(lái)衡量：
  1.  注入效率：通過(guò)設備注入反應區的電子比例。
  2.  內量子效率（IQE）：反應區域中所有電子產(chǎn)生的光子或UV的比例。
  3.  光提取效率：在反應區域中產(chǎn)生的光子所占的比例，這些光子可以從設備中取出并使用。
 論文的作者之一  SM  （Moudud） Islam 說(shuō)：“如果以上三個(gè)方面的效率達到  50%，乘積僅為八分之一，這意味著(zhù)發(fā)光效率已降至  12%?！?
 在深UV帶中，這三個(gè)方面的效率都非常低，但是研究小組發(fā)現使用氮化鎵代替傳統的鋁氮化鎵可以提高內量子效率和光效率。 為了提高注入效率，研究團隊使用先前開(kāi)發(fā)的技術(shù)在正極（電子）和負極（空穴）載流子區域中實(shí)現了極化感應摻雜方法。
 研發(fā)
成功提高深UV  LED  的發(fā)光效率后，研究團隊的下一步是將光源集成到設備中并朝著(zhù)目標邁進(jìn) 上市。 深UV的應用領(lǐng)域包括食品保鮮，假幣識別，光催化劑，水凈化和殺菌等。

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