【UV固化機價(jià)格】同樣的固化體系,為什么UVLED固化機比UV汞燈值
時(shí)間:2021-08-09 09:04來(lái)源:未知點(diǎn)擊: 次

UVLED固化機價(jià)格 目前固化過(guò)程中,兩種主流固化方式是
UVLED固化機和
UV汞燈,購買(mǎi)或使用過(guò)這兩種固化方式的朋友應該都知道,
UVLED固化機對比
UV汞燈價(jià)格 會(huì )更高。 同樣的固化體系,為什么
UVLED固化機價(jià)格更高,而且還有很多客戶(hù)愿意買(mǎi)單? 甚至很多原來(lái)用
UV汞燈的客戶(hù)后來(lái)把生產(chǎn)線(xiàn)改成了
UVLED固化機?
UVLED固化機在固化速度、安全性能、環(huán)保、操作靈活性等方面無(wú)疑優(yōu)于
UV汞燈。 其較高的價(jià)格也是由于成分結構、生產(chǎn)工藝等原因。 作為
UVLED固化機廠(chǎng)家,三昆科技今天帶你了解為什么
UVLED固化機比
UV汞燈值錢(qián)。

價(jià)格高的原因
1. 外延的技術(shù)問(wèn)題
目前
UV外延片仍然使用現有的藍光和綠光設備來(lái)生長(cháng)外延結構,
藍寶石襯底仍然是主流,目前
銦鎵氮(InGaN)材料是藍光和綠光LED的主流。 我們可以利用銦(In)成分的差異來(lái)獲得紅光到UV的波長(cháng)范圍。
光電轉換效率最大值在 430~450nm 波長(cháng)處,朝向更長(cháng)的波長(cháng)。 它緩慢下降,并向較短的波長(cháng)迅速下降。 當波長(cháng)低于 380 nm 時(shí),效率會(huì )降低。
氮化鎵的帶隙寬度為3.4
電子伏特(eV),正好落在365nm波長(cháng)處,也是
銦鎵氮材料極限,但是UV短波LED的難點(diǎn)就在于此。365 納米以下的 UVA LED 有許多問(wèn)題需要克服。 我認為有兩個(gè)更重要的關(guān)鍵技術(shù)難點(diǎn)。[哈]目前這個(gè)問(wèn)題一直困擾著(zhù)
UV LED的擴展工程師,UVC內部的
量子效率始終低于50%。 當然,發(fā)射波長(cháng)越短,其他的
P型層和
N型層材料需要添加到Al組分中以降低吸光率,因此
氮化鋁(AlN)和
uvled固化機廠(chǎng)家7的生長(cháng) (AlGaN)材料更重要。 這需要更高的溫度
MOCVD系統設計,目前主流的藍光MOCVD系統尚不具備這樣的條件。
所以,由于這些問(wèn)題的積累,目前UVA的365nm波長(cháng)和
UVC波段的外延技術(shù)受到限制,最終成本居高不下。

上圖是典型的UV外延結構
2示意圖。 芯片的技術(shù)問(wèn)題
在
UVLED固化機生產(chǎn)中,芯片的問(wèn)題不亞于外延,主要是正規的芯片工藝已經(jīng)不能滿(mǎn)足要求了。
UVLED固化機是需要的,特別是對于
UVLED 380 納米以下的芯片。 目前最主流的UVA技術(shù)是垂直結構芯片。 由于垂直結構芯片的發(fā)光面是N型材料,可以有效減少吸光問(wèn)題。 另外,立式結構的光型穩定,大部分是軸向光,幾乎沒(méi)有側光,輻射效率高,固化過(guò)程中光分布比較穩定均勻。 目前芯片的垂直結構有硅襯底化學(xué)剝離技術(shù)和
藍寶石襯底激光剝離技術(shù)。 由于兩種工藝收率低,工藝復雜,成本較高。 單價(jià)是目前貼裝芯片價(jià)格的3~5倍。.
對于
UVC結構的280nm和265nm,目前主流技術(shù)是倒裝芯片結構,關(guān)鍵問(wèn)題是如何降低
氮化鎵UVC的吸光性好
歐姆反射電極和
N型鋁鎵氮合適
歐姆接觸電極也很重要。
下面是
UVLED的三種結構對比示意圖。 從性能和成本來(lái)看,385nm以上波長(cháng)采用廉價(jià)的形式結構和優(yōu)良的垂直結構各有優(yōu)勢。 波長(cháng)低于 375nm 的 UVA 適用于垂直結構。 由于更好的散熱路徑,UVC波段適用于倒裝芯片結構。 這也是市場(chǎng)上385nm以上的器件很便宜的原因之一,但是UV的波長(cháng)越短,價(jià)格就越高。

以上三種類(lèi)型的對比圖
uvled芯片結構 3.封裝技術(shù)問(wèn)題
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