uvled原理

1.UVLED發(fā)光機理：PN結的端電壓構成一定的勢壘。 當正向偏置電壓時(shí)勢壘減小時(shí)，P區域和N區域中的多數載流子彼此擴散。 由于電子遷移率的遷移率遠大于空穴的遷移率，因此大量電子將擴散到P區，從而在P區中注入少數載流子。 這些電子與價(jià)帶中的空穴復合，并且在復合期間獲得的能量以光能的形式釋放。 這就是PN結發(fā)光的原理。
2，UVLED發(fā)光效率：通常稱(chēng)為組分的外部量子效率，是組分內部的量子效率與組分提取效率的乘積。 所謂的組件內部量子效率實(shí)際上就是組件本身的電光轉換效率，這主要與組件本身的特性（例如組件材料的能帶，缺陷和雜質(zhì)）有關(guān)。），勢壘晶體的組成成分和結構。 組件的提取效率是指組件內部產(chǎn)生的光子數，在組件自身吸收，折射和反射之后，實(shí)際上可以在組件外部對其進(jìn)行測量。 因此，與提取效率相關(guān)的因素包括組分材料本身的吸收，組分的幾何結構，組分和包裝材料的折射率差以及組分結構的散射特性。 成分的內部量子效率與成分的提取效率的乘積是整個(gè)成分的發(fā)光效果，即成分的外部量子效率。 早期組件開(kāi)發(fā)的重點(diǎn)是改善其內部量子效率，主要方法是提高勢壘晶體的質(zhì)量并改變勢壘晶體的結構，以使電能不容易轉化為熱量，然后間接增加發(fā)光量 UVLED的效率，從而獲得70%左右的理論內部量子效率，但是這樣的內部量子效率幾乎接近理論極限。 在這種情況下，僅通過(guò)增加模塊內部量子效率就不可能增加模塊的總光量。 因此，提高模塊的提取效率已成為重要的研究課題。 當前的方法主要是：改變晶粒形狀TIP結構，進(jìn)行表面粗糙化技術(shù)。
3，UVLED電氣特性：電流控制裝置，負載特性UI曲線(xiàn)類(lèi)似于PN結，正向方向的很小變化導通電壓將引起正向電流的較大變化（指數級），反向漏電流非常小，有反向擊穿電壓。 在實(shí)際使用中，您應該選擇。UVLED正向電壓隨著(zhù)溫度的升高而變小，負溫度系數。UVLED消耗功率，其中一部分被轉換為光能，這是我們所需要的。 其余部分轉化為熱量，從而提高了結溫。 耗散的熱量（功率）可以表示為。
4.UVLED光學(xué)特性：UVLED提供具有較大半寬度的單色光。 由于半導體的能隙隨著(zhù)溫度的升高而減小，因此其發(fā)射的峰值波長(cháng)隨溫度的升高而增加，即光譜紅移，溫度系數為+ 2?3A /。UVLED發(fā)光亮度L和正向電流。 隨著(zhù)電流的增加，發(fā)光亮度也大約增加。 另外，發(fā)光亮度也與環(huán)境溫度有關(guān)。 當環(huán)境溫度高時(shí)，復合效率降低并且發(fā)光強度降低。5.UVLED熱學(xué)特性：小電流下LED溫升不明顯。 如果環(huán)境溫度高，UVLED的主波長(cháng)將發(fā)生紅移，亮度會(huì )降低，并且光的均勻性和一致性會(huì )變差。 尤其是，點(diǎn)矩陣和大型顯示屏的溫度上升對LED的可靠性和穩定性具有更大的影響。 因此散熱設計非常重要。UVled光源
6，UVLED壽命：UVLED長(cháng)期工作會(huì )由于光衰減而引起老化，特別是對于高功率的UVLED，光衰減的問(wèn)題更為嚴重。 在測量UVLED的壽命時(shí)，僅將燈泡的損壞作為UVLED壽命的終點(diǎn)是不夠的。LED的壽命應由UVLED的光衰減百分比指定，例如35%，這更有意義。。
7。 大功率UVLED包裝：主要考慮散熱和發(fā)光。 關(guān)于散熱，請使用銅基熱襯，然后連接至鋁基散熱器。 芯片和散熱片通過(guò)焊接連接。 這種散熱方法效果更好，性?xún)r(jià)比更高。 在發(fā)光方面，采用倒裝芯片技術(shù)，并且在底面和側面上添加反射面以反射浪費的光能，從而可以獲得更多的消光光。

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